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Samsung lance sa mémoire Flash DDR (MLC NAND) de 30nm 3bit

Par Akihabaranews, publié le 12-01-2009

Samsung a annoncé ce matin le lancement de la production en masse de deux dufférents types de mémoire NAND de 30nm (Cellule en Multi-Niveaux). Ces puces sont annoncées comme trois fois plus rapides que celles actuellement disponibles, et offrent une performance de 133Mbps au lieu des 40Mbps actuels Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced semiconductor technology solutions, announced today that it commenced the industry’s first volume production of 3-bit, multi-level-cell (MLC) NAND flash chips using 30-nanometer (nm)-class process technology at the end of November. The chips will be used in NAND flash modules accompanied by exclusive Samsung 3-bit NAND controllers to initially produce eight gigabyte (GB) micro Secure Digital (microSD) cards. “Intr...